东芝(Toshiba)8日公布新闻稿宣告，为了跃进3DFlashMemory，将在四日市工厂内修建新的厂房第6厂房(Fab6)。东芝认为，该座新的厂房将作为3DFlash专用厂房，将分2期工程修建，其中第1期工程将在2017年2月动工、并预计于2018年夏天竣工。　　东芝认为，关于上述新的厂房明确的设备引入、开始生产时间，以及生产能力、生产计划等细节，将待今后评估市场动向之后再行要求，且和西数（WesternDigital，WD)展开协商后，双方今后也将展开联合投资。

　　东芝并认为，该座新的厂房将引入活用AI人工智能的生产系统、借以提高生产效率。　　据NHK报导，东芝上述新的厂房的投资额大约800亿日元。　　根据YahooFinance的资料表明，截至9日上午8点05分为止，东芝劲扬1.59%至376日日元。

　　为了对付三星电子等竞争对手，东芝于今年3月宣告，将在今后3年内(2016年度-2018年度)总计砸下大约8,600亿日元投资NAND型快闪存储器(FlashMemory)，而上述新的厂房就是该8,600亿日元投资计划中的一环。　　东芝7月27日宣告，已研发出有填充64层的3DFlash制程技术，并自当日起领先全球同业开始展开样品销售。

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